三星电子公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存，该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。

      据三星官方介绍，该闪存是将16个堆叠的三星512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。

相比之前的512G版本，在相同封装尺寸内，1TB的 eUFS解决方案将容量提升了一倍，新的eUFS速度高达1000MB/s，随机读写分别为58000 IOPS和50000 IOPS，相比512GB提升38%。相比之前的512G版本，在相同封装尺寸内，1TB的 eUFS解决方案将容量提升了一倍，新的eUFS速度高达1000MB/s，随机读写分别为58000 IOPS和50000 IOPS，相比512GB提升38%。